韩国芯片制造商SK海力士周四在美国印第安纳州举行了一场奠基仪式，宣布将建设一座用于人工智能（AI）内存的先进封装生产设施，计划每年在此生产数十万片晶圆。
奠基仪式在印第安纳州西拉法叶的普渡大学举行。SK海力士正积极推进在美国建立首个下一代高带宽内存（HBM）生产基地的计划，总投资预计超过40亿美元。HBM是驱动人工智能的先进芯片中的关键组件。
在印第安纳州的工厂中，SK海力士计划于2028年10月启用洁净室，并于2029年下半年开始量产下一代HBM芯片。该公司预计，到2030年该工厂将成为美国重要的HBM生产基地，在商业化运营期间将拥有约1000名员工。
这家芯片制造商还计划在生产线旁建设一个“先进封装研发测试平台”，以便客户、高校及商业合作伙伴能够共同开展封装技术开发，并进行原型制造和性能验证。
该公司表示，SK海力士生产的先进晶圆将运往印第安纳州，在那里进行先进的封装和测试，之后再向英伟达等美国大型科技公司供应“美国制造”的产品。
SK海力士CEO郭鲁正在奠基仪式上表示，公司计划于2029年第三季度在这座工厂启动下一代HBM4E芯片的大规模量产。
“我们预计年产能将达到数十万片晶圆，”他说，“这将为客户提供一种新的美国制造HBM产品来源，同时加强美国半导体供应链，并促进经济发展。”
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责任编辑：于健 SF069
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